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EUV技术只是新宠舞台还是浸入式光刻的:亚博取款高效快速

编辑:亚博取款高效快速 来源:亚博取款高效快速 创发布时间:2021-05-26阅读18119次
  本文摘要:假如历史时间能够重蹈覆辙得话,日本鬼子Takanashi一定会新的随意选择专利申请的時间。

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假如历史时间能够重蹈覆辙得话,日本鬼子Takanashi一定会新的随意选择专利申请的時间。1984年,更是他在一项在我国国内中界定了浸泡式光刻机最基础的结构类型,即在最终一级物镜与光刻胶中间充进一层透明色的液体。

只惜此项专利权面世的“太早”,的确实际意义上的浸泡式光刻要在很多年后才不容易经常会出现,Takanashi也因而与高额专利年费擦身而过。殊不知历史时间的发展趋势就这样难以置信,一个那时候甚为胆大的好点子在今后也许就不容易无限风光。浸泡式光刻从最开始的好点子原型到目前拓张摩尔定律砥砺前行,期间历经曲折成千上万,将来也预料会是轻缓大路。

它的风采究竟在哪儿,将来又具什么发展趋向呢?居然大家带著对浸泡式光刻的疑虑一探究竟吧。为什么是浸泡式光刻?自打摩尔定律被明确指出,人们的想像力就得到 了无尽充分运用的室内空间。

每一次规格扩大就意味著工艺上的创新,一幕幕加工工艺上的朝代更替就是这样大大的巡回演出,浸泡式光刻也早就踏入了历史的舞台。浸泡式光刻的原形试验在上世纪90年代刚开始陆续经常会出现。

99年,IBM的Hoffnagle用以257nm干涉系统制做出有周期时间为89nm的聚集图型。那时候用以的浸泡液是环辛烷。但由于那时候对浸泡液的充进、摄像镜头的脏污、光刻胶的可靠性和汽泡的危害等至关重要的问题缺乏了解,大家未对浸泡式光刻开展掌握的科学研究。

二零零二年之前,业内广泛认为193nm光刻没法廷伸到65nm技术性连接点,而157nm将沦落流行技术性。殊不知,157nm光刻技术性遭受来到来源于光刻机镜片的巨大挑戰。它是因为绝大部分原材料不容易抵触地汲取157nm的光波,仅有CaF2只能能够用以。

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但碾磨得到 的CaF2摄像镜头不合格率和像劣难以操控,而且价钱十分划算。始料不及的是它的使用期也很短,频烦更换摄像镜头让处理芯片加工制造业没法忽略。

不顾一切诸多学者在157nm浸泡式光刻眼前迟疑不决时,曾任TSMC杰出科长的林本贝利明确指出了193nm浸泡式光刻的定义。在157nm光波长主龙骨不是透明色的液体,可是针对193nm的光波长则是彻底基本上透明色的。而且水在193nm的折光率达到1.44,而红外感应只有1.33!假如把水那样一种十分理想化的浸泡液,顺应早就十分成熟的193nm光刻机器设备,那麼机器设备生产商只需保证较小的改进,关键解决困难与水浸泡相关的难题,193nm浸水式光刻机就近在眼前了。

另外,193nm光波在水中的等效电路光波长增加为134nm,脚可摆脱157nm的无穷大。193nm浸泡式光刻的科学研究直接沦落光刻界追逐的聚焦点。浸泡式光刻是所说在光刻机投影镜头与半导体材料单晶硅片中间用一种液体充满著,进而获得更优分辩率及减少摄像镜头的数值孔径,从而搭建更为小曝出规格的一种新式光刻技术性(下图)。

浸泡式光刻平面图使我们看一下光刻系统软件屏幕分辨率的著名Rayleigh方程组:R=kλ/NA式中λ是可见光波长,NA是系统软件中镜片的数值孔径,k是屏幕分辨率指数,意味着了全部的其他加工工艺自变量。不言而喻,扩大曝出灯源的光波长并降低投射镜片的NA都能够提高屏幕分辨率。

自打193nm光波长沦落主要方位之后,减少NA沦落了业内人员不辞劳苦的固执。报表1是提高193nmArF浸泡式光刻机NA的计划方案。

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不难看出,浸泡液、光刻机器设备和其他涉及到阶段的相互配合是浸泡式光刻技术性行驶的保证。哪位水之后的继任者者?将液体放置主摄像镜头和单晶硅片中间,入射角线顺理成章地就不容易穿透比气体折光率高些的液体,这类方法自身并没提高特殊投影图像的屏幕分辨率,可是它却必须突显光刻机的摄像镜头高些的数值孔径。

NA=nsinα,在其中n是镜片周边物质的透射系数,α是镜片的拒不接受角。传统式的“干式”光刻系统软件中,物质是透射系数为1的气体,则NA的基础理论最高值为1。应用具有高些透射系数的液体,浸泡技术性有可能使系统软件的NA>1。

例如用以折光率为1.44的双蒸水后,NA的基础理论最高值即是1.44。在193nm曝出系统软件中,屏幕分辨率R=kλ/NA就可以超出k*193/1.44=131mn。假如液体并不是水而其他液体,但折光率比1.44低时,则具体屏幕分辨率能够十分便捷地再一次提高,也它是浸泡式光刻技术性能快速普及化的缘故。Nikon上海市的技术人员总经理田陈伟解读讲到,水做为浸泡液的诸多优点是它与193nm光刻胶的反映较小,而且能够根据光刻胶的改进或者降低顶端土壤层来降低水的危害。

这也是水必须被广泛运用的缘故之一。


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